久久久久亚洲AV成人片一级毛片|亚洲精品www久久久久久|国产影片中文字幕视频|2020亚洲无码

  • b1
  • b3
  • b4
  • b2
地址:襄陽(yáng)市襄城區環(huán)城東路仟合惠景2棟109號
聯(lián)系人:劉經(jīng)理
電話(huà):0710-3501158
傳真:0710-3520028
郵箱:xfjhj@163.com
郵編:441000
手機:18972059966

IGBT保管、使用、選擇時(shí)的技巧

作者: 來(lái)源:轉載 日期:2021/8/7 12:14:05 人氣:27  標簽:


提出選擇和安裝過(guò)程中應該注意的方面,對IGBT的特性注意事項進(jìn)行了研討。

1 IGBT模塊簡(jiǎn)介

   相信大家都知道IGBT是絕緣柵雙極型晶體管縮寫(xiě),IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,既具有MOSFET器件驅動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn),又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內,在現代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應用,在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),

   IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動(dòng)正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOS 截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓,只有在uA級的漏電流流過(guò),基本上不消耗功率。

圖1 IGBT的等效電路



2 保管時(shí)的注意事項

一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所,應保持常溫常濕狀態(tài),不應偏離太大。常溫的規定為5~35℃ ,常濕的規定在45~75%左右。在冬天特別干燥的地區,需用加濕機加濕;

盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合;

在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結露水的現象,因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方;

保管時(shí),須注意不要在IGBT模塊上堆放重物; CEDN論壇

裝IGBT模塊的容器,應選用不帶靜電的容器。


3 使用中的注意事項

   由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn):


在使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅動(dòng)端子部分,當必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;

在用導電材料連接模塊驅動(dòng)端子時(shí),在配線(xiàn)未接好之前請先不要接上模塊;

盡量在底板良好接地的情況下操作。

         此外,在柵極—發(fā)射極間開(kāi)路時(shí),若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,則隨著(zhù)集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過(guò),柵極電位升高,集電極則有電流流過(guò)。這時(shí),如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。

        在使用IGBT的場(chǎng)合,當柵極回路不正?;驏艠O回路損壞時(shí)(柵極處于開(kāi)路狀態(tài)),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會(huì )損壞,為防止此類(lèi)故障,應在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。

        在安裝或更換IGBT模塊時(shí),應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻,最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇,當散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導致IGBT模塊發(fā)熱,而發(fā)生故障。因此對散熱風(fēng)扇應定期進(jìn)行檢查,一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器,當溫度過(guò)高時(shí)將報警或停止IGBT模塊工


4 IGBT模塊的選擇

   IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見(jiàn)下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時(shí),所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí),開(kāi)關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,因此,選用IGBT模塊時(shí)額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí),由于開(kāi)關(guān)損耗增大,發(fā)熱加劇,選用時(shí)應該降等使用。


本文網(wǎng)址:http://www.jzsp1.com/show.asp?id=100